来源:华体会官方网站 发布时间:2024-07-14 06:26:23
体系或许设备的温度超越其引荐规模的状况,就很简单把设备烧坏,就必须要对这种状况做防备。
与挑选比较器、偏置电阻或许增加推迟/旁路电容相同,你能增加迟滞。迟滞是一种避免2种状况继续改变的电阻。
假如要构建实践电路的话,就在大多数状况下要重复的去改善你的规划,为削减迭代,主张在核算和模仿的时分下点功夫。
假定我现已确认了体系的热门(过程1),而且我想要的是OTP触发点是80℃(过程2)。
这儿我运用的是NTC热敏电阻,然后运用带有参阅和偏置电阻以及迟滞电路的比较器,一起话增加了去耦电容,下面为过温维护电路的规划。
当未到达OTP设定点时,比较器的(X1)的正输入高于负输入。这就从另一方面代表着,因为上拉电阻R2的存在,VOUT节点将看到VCC的电平。
趁便说一下,X1是开漏型比较器,意味着当正输入高于负输入时,输出引脚将悬空,这也便是为何需要在VCC上增加一个1K的上拉电阻。
这儿运用NTC热敏电阻。当热门方位的温度到达跳变点时,RNTC值将变小,使其两头的电压降低于参阅电压(REF)。接着VOUT将为0。你能够将VOUT馈送到操控办理体系敞开和封闭的电路。基本上,当 VOUT 为高时,体系不会封闭,而当 VOUT 为低时,体系将封闭。
D1和R1的意图是供给迟滞,当X1输出变低时,R1与RNTC构成并联,因为D1的存在,不是直接平行的,但D1的影响并不明显,在剖析过程中可忽略不计。只有当X1的正输入低于负输入时,输出才会变为低电平,差不多便是在OTP电路作业时,也便是发生过温时。
RNTC与R1并联,等效电压将远低于参阅电压。因此在体系再次敞开之前会有时间推迟,就能够有用的防备在翻开和封闭状况之间快速改变的状况。
这儿就需要在模仿的时分查看电路呼应。在模仿中,将热敏电阻的RNTC的电阻从500Ω更改为 10K。x 轴显现电阻,而 y 轴显现 VOUT、Votp 和 Vref 的电压电平。依据仿真成果,当 RTNC 的值在 1.75k 左右时,VOUT 将从低电平变为高电平。这是 RNTC 两头的电压超越参阅电压的点。